磁控濺射技術自誕生以來，得到了較快的發展和較廣的應用（yòng），對其他鍍膜方法的（de）發展產生了很大的影響。通過大量的（de）實踐，浦（pǔ）元真空總結出這種技術（shù）的優缺點，如下（xià）文所示。

　　優點：
　　1.沉積速率高，襯底溫升低，對薄膜損（sǔn）傷小；
　　2.對於大多數材料，隻要能製造（zào）出靶材，就可（kě）以實現濺射；
　　3.濺射得到的薄膜與基底結合良好；
　　4.濺射得到的薄（báo）膜純度較高，密度（dù）好，均勻性好（hǎo）；
　　5.結果表明，濺射工藝具有良（liáng）好的重複性，在大麵積襯底上可獲得厚度均勻的薄膜；
　　6.可以（yǐ）準確控製塗層厚度，通過改變參數來控製薄膜的粒徑；
　　7.不同的金屬、合金和氧化物可以混合，同時濺射在基體上；
　　8.易於工業化。


　　但是磁（cí）控濺射也存在一些問題
　　1.該技術所（suǒ）使用的環形磁場迫使次級電子圍繞環形磁場跳躍。因此，由環形磁場控製的區域是（shì）等離子體密度較高的區域。在該技術中，我們可以看到濺射氣體氬在（zài）這一區域（yù）發出強（qiáng）烈的淡（dàn）藍色光芒，形成光暈（yūn）。光（guāng）暈下的靶是離（lí）子轟擊比較嚴重的部分，它會濺出一個圓形的溝槽。環形磁場是（shì）電（diàn）子運動的軌道，環形輝光和溝槽生動地（dì）表現了這一點。靶材的濺射槽一旦穿透靶材（cái），整個靶材就會報廢，靶材利（lì）用率不（bú）高，一般低於40%；
　　2.等離子體不穩（wěn）定；
　　3.由於基本的（de）磁通量均（jun1）不（bú）能通（tōng）過磁性靶，所（suǒ）以在靶麵附近不可（kě）能產生外加磁場。

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