電子在電場的（de）作用下加（jiā）速（sù）飛向（xiàng）基片的過程中與氬原子（zǐ）發生碰撞,電離（lí）出大量的氬離子（zǐ）和電子,電子飛（fēi）向基片.氬離子在電場的作用下加速轟擊（jī）靶材,濺射出大量（liàng）的靶材（cái）原子,呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜（mó）.二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛侖磁力的影響,被束縛在*近靶麵的等（děng）離子體（tǐ）區域內,該區域內等離子體密度很高,二次電子在磁場的（de）作用下圍繞靶麵作圓周運動,該電子的運動路徑很長,在運動過程中不（bú）斷的與氬（yà）原子發生碰撞（zhuàng）電（diàn）離出大量的氬離子轟擊靶材,經過多次碰撞後電（diàn）子的能量逐漸降低,擺脫磁力線的束縛,遠（yuǎn）離（lí）靶材,最終（zhōng）沉積在基片上.

        磁（cí）控濺射就是以磁場束縛和延長電子（zǐ）的（de）運動路徑,改變電子的運動（dòng）方向,提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量.

       電子的歸宿不僅僅是（shì）基片,真空室（shì）內壁及靶源陽極也是電子歸宿.但一般基片與真空室及陽（yáng）極在同一電勢.磁場與電場（chǎng）的交互（hù）作用（E X B shift）使單個電子軌跡（jì）呈三維螺旋狀,而不是僅（jǐn）僅在靶麵圓周運（yùn）動（dòng）.至於靶麵（miàn）圓周型的濺射輪廓,那是靶源磁場磁力線呈圓周形狀形狀.磁力線分布方向不同會對成膜有很大關係.

       在E X B shift機理下工作的不光磁控濺射,多弧鍍靶源,離子源,等離子源等都在次原理下工（gōng）作（zuò）.所不同的是電場方向,電壓電流大小（xiǎo）而已.