直流磁控濺射： 直流磁（cí）控濺射是（shì）在直流二級濺射的基礎上，在（zài）靶材後麵安防磁鋼。可以用來濺射沉積導電膜，而且沉積速度快；

但靶材若為絕緣體的話，將會迅速造（zào）成靶材表麵電荷積累，從而導致濺射無法進行。所以（yǐ）對於純金屬靶材的濺射，均采用直流（liú）磁（cí）控濺射，如濺射SUS,Ag,Cr,Cu等。 

中頻磁控濺射， 常用來進行反應濺射，如金屬氧化（huà）物、碳化（huà）物等，將少許反應性氣（qì）體N2,O2,C2H2等同惰性氣體Ar2一起輸入到（dào）真空腔中（zhōng），使反應氣體與靶材（cái）原子一起於基材上沉積。

對於一些不易找到的（de）塊材料製成（chéng）靶材的鍍膜或陶瓷靶材在濺鍍後，薄膜成（chéng）分易偏離原靶材成分，也可通過反應沉積來獲得改善（shàn）。